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TABLE 1G: Thyristor/Diode single device
Date Code
# Part Number or Voltage
Test # [V]
1 CS22-08io1M 2014 560
2 CS30-16io1 1855 1120
3 CS30-16io1DCSN 1920 1120
4 CS35-14 2008 980
5 CS45-16io1 1808 1120
6 CS60-16io1 1830 1120
7 CS8-12io2 1605 1280
8 DSA1-16D 2023 1120
9 DSAI75-16B 1858 1120
10 DSDI60-16A 1569 1280
11 DSP25-16 1564 1120
12 DSP25-16 2016 1120
Temp.
[°C]
125
125
125
125
125
125
125
150
150
125
150
150
Time
[hrs]
168
168
1000
168
168
1000
168
168
168
168
168
168
Sample
Size
20
20
20
10
20
20
10
20
10
20
20
20
Failures
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
Device Hours
[hrs]
3360
3360
20000
1680
3360
20000
1680
3360
1680
3360
3360
3360
Remark
I_DRM increased
TABLE 1H: ISOPLUS
Date Code
#
Part Number
or
Voltage
Temp.
Time
Sample
Failures
Device Hours
Remark
Test #
[V]
[°C]
[hrs]
Size
[hrs]
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CS45-16io1
DSEP30-06BR
DSEP30-12AR
DSEP75-06AR
DSS20-01AC
GWM160-0055P3
IXEL40N400
IXFL60N80P
IXFR12N100Q
IXFR14N100Q2
IXFR26N100P
IXGR120N60C2
IXGR48N60C3D1
IXKC13N80C
IXKC25N80C
IXKR25N80C
IXTC110N25T
IXTC200N075T
IXUC200N055
1808
1952
1634
1619
1709
1524
1611
SP0605
TP0703
SP0732
SP0742
SP0722
SP0722
1769
1590
1521
SP0721
SP0627
1594
1120
480
960
480
100
240
3000
640
800
800
800
480
480
640
640
640
200
60
44
125
125
125
125
125
150
125
125
125
125
125
125
125
125
125
125
125
125
125
168
168
168
1000
1000
168
168
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
168
1000
1000
1000
20
20
20
20
20
6
10
30
30
30
30
30
30
20
20
20
30
30
20
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
3360
3360
3360
20000
20000
1008
1680
30000
30000
30000
30000
30000
30000
20000
20000
3360
30000
30000
20000
20
LKK47-06C5
1675
480
150
1000
20
1
20000
I_DSS increased
TABLE 1J: Breakover Diode
Date Code
#
Part Number
or
Voltage
Temp.
Time
Sample
Failures
Device Hours
Remark
Test #
[V]
[°C]
[hrs]
Size
[hrs]
1
2
3
4
IXBOD1-08
IXBOD1-09
IXBOD1-10
IXBOD1-10
1941
1800
1576
2096
640
800
800
800
125
125
125
125
168
168
168
168
20
20
20
20
0
0
0
0
3360
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3360
IXYS Semiconductor GmbH
10
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IXTQ470P2
MOSFET N-CH 500V 42A TO3P
IXTQ480P2
MOSFET N-CH 500V 52A TO3P
IXTQ50N20P
MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P
IXTQ50N25T
MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P
相关代理商/技术参数
IXTQ30N50L
功能描述:MOSFET 30 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N50L2
功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N50P
功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60L2
功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60P
功能描述:MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N20T
功能描述:MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N30P
功能描述:MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N50P
功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube